BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC052N08NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC033N08NS5SCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC052N08NS5ATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 Trench (OptiMOS 5)
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V +/- 20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +150C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 1 (unlimited) 1
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Tc) — 144 A
Power Dissipation (Tc) — 136 W
RDS(on) max @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Thermal Resistance RthJC — 0.86 K/W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +175C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট