BSC118N10NSGATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC118N10NSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC265N10LSFGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC118N10NSGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 2 —
FET Type N-Channel N-Channel
Mode Enhancement (Normal Level) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 71 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 114 W —
العلبة PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +150 C —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 2 (TrenchFET)
Lead Plating Pb-free —
حالة RoHS Compliant Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes —
JEDEC Qualification Qualified per target application —
Target Application High-frequency SMPS, synchronous rectification —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +150 C (junction)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
Series — OptiMOS 2

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر