BSC118N10NSGATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC118N10NSGATMA1 توسط Infineon و BSC265N10LSFGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC118N10NSGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 2 —
FET Type N-Channel N-Channel
Mode Enhancement (Normal Level) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 71 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 114 W —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای اتصال کاری -55 C to +150 C —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 2 (TrenchFET)
Lead Plating Pb-free —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
بدون هالوژن Yes —
JEDEC Qualification Qualified per target application —
Target Application High-frequency SMPS, synchronous rectification —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
محدوده دمای کاری — -55 C to +150 C (junction)
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
Series — OptiMOS 2

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت