BSC118N10NSGATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC118N10NSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC265N10LSFGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC118N10NSGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 2 —
FET Type N-Channel N-Channel
Mode Enhancement (Normal Level) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 71 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 114 W —
Paket PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 2 (TrenchFET)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
JEDEC Qualification Qualified per target application —
Target Application High-frequency SMPS, synchronous rectification —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C (junction)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
Series — OptiMOS 2

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin