BSD235CH6327XTSA1 vs BSZ15DC02KDHXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSD235CH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSZ15DC02KDHXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon

BSZ15DC02KDHXTMA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon

BSZ15DC02KDHXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSD235CH6327XTSA1 BSZ15DC02KDHXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Common drain (back-to-back source pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA 5.1 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) 3.2 A
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
حالة RoHS Compliant (lead-free) —
مستوى MSL 1 —
عدد الأطراف 6 —
Part Number — BSZ15DC02KDHXTMA1
نوع الترانزستور — N-Channel + P-Channel (complementary pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 20 V
N-Channel RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm]
P-Channel RDS(on) Max — 55 mOhm (per Infineon part summary)
Gate Drive Level — Super Logic level, 2.5 V rated
Total Package Power Dissipation (PD) — 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
العلبة — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad)
Avalanche Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes / RoHS compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر