BSD235CH6327XTSA1 vs BSZ15DC02KDHXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSD235CH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSZ15DC02KDHXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSD235CH6327XTSA1 BSZ15DC02KDHXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Common drain (back-to-back source pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA 5.1 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) 3.2 A
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS Durumu Compliant (lead-free) —
MSL Seviyesi 1 —
Pin Sayısı 6 —
Part Number — BSZ15DC02KDHXTMA1
Transistor Türü — N-Channel + P-Channel (complementary pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 20 V
N-Channel RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm]
P-Channel RDS(on) Max — 55 mOhm (per Infineon part summary)
Gate Drive Level — Super Logic level, 2.5 V rated
Total Package Power Dissipation (PD) — 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Paket — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad)
Avalanche Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes / RoHS compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin