BSD235CH6327XTSA1 vs BSZ15DC02KDHXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSD235CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSZ15DC02KDHXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon

BSZ15DC02KDHXTMA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon

BSZ15DC02KDHXTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSD235CH6327XTSA1 BSZ15DC02KDHXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Common drain (back-to-back source pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA 5.1 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) 3.2 A
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS™2 (N-ch) + OptiMOS™-P2 (P-ch)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free) —
MSL لیول 1 —
پن کی تعداد 6 —
Part Number — BSZ15DC02KDHXTMA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel + P-Channel (complementary pair)
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 20 V
N-Channel RDS(on) Max — [DATA_NEEDED: N-ch RDS(on) value in mohm]
P-Channel RDS(on) Max — 55 mOhm (per Infineon part summary)
Gate Drive Level — Super Logic level, 2.5 V rated
Total Package Power Dissipation (PD) — 2.5 W @ 25 C (per DigiKey listing)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
پیکیج — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm, 8-pin with exposed pad)
Avalanche Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — Yes / RoHS compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں