BSL215CH6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSL215CH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS316NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSL215CH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary Pair N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V_DS) 20 V —
Continuous Drain Current (I_D) 1.5 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V 250 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Power Dissipation (P_D) 500 mW —
العلبة / الحالة PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C —
Configuration Half-bridge (1 N + 1 P) —
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 2 (Trench)
مستوى MSL 1 (unlimited) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +150 C
العلبة — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر