BSL215CH6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSL215CH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS316NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSL215CH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary Pair N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V_DS) 20 V —
Continuous Drain Current (I_D) 1.5 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V 250 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Power Dissipation (P_D) 500 mW —
Paket / Kas PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C —
Configuration Half-bridge (1 N + 1 P) —
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 2 (Trench)
MSL Seviyesi 1 (unlimited) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Paket — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin