BSL215CH6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSL215CH6327XTSA1 توسط Infineon و BSS316NH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSL215CH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary Pair N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (V_DS) 20 V —
Continuous Drain Current (I_D) 1.5 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V 250 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Power Dissipation (P_D) 500 mW —
بسته‌بندی / کیس PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -55C to +150C —
Configuration Half-bridge (1 N + 1 P) —
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 2 (Trench)
سطح MSL 1 (unlimited) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
محدوده دمای اتصال کاری — -55 C to +150 C
بسته‌بندی — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت