BSP135H6906XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP135H6906XTSA1 بواسطة Infineon و BSP129H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSP135H6906XTSA1 | BSP129H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel Depletion Mode | N-Channel, Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 120 mA | 350 mA |
| RDS(on) Max at VGS=0V | 45 Ohm | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 1.8 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(off)) | Depletion mode (normally-on) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 4 (3 leads + drain tab) | — |
| Technology | SIPMOS (planar high-voltage) | — |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 240 V |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 4.2 ohm (some sources 6 ohm) |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.8 W |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage VGS(off) | — | [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] |
| dv/dt Ruggedness | — | Yes (rated) |
| Process Technology | — | SIPMOS (vertical DMOS) |
| Drain Terminal | — | Tab (pin 4) |