BSP135H6906XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP135H6906XTSA1 tarafından Infineon ve BSP129H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP135H6906XTSA1 BSP129H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA 350 mA
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) —
MSL Seviyesi 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) AEC-Q101 qualified
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin