BSP135H6906XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSP135H6906XTSA1 מאת Infineon ו BSP129H6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSP135H6906XTSA1 BSP129H6327XTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA 350 mA
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C —
מארז PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) —
רמת MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) AEC-Q101 qualified
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
טמפרטורת פעולה — -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר