BSP135H6906XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP135H6906XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP129H6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP135H6906XTSA1 BSP129H6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA 350 mA
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 4 (3 leads + drain tab) —
Technology SIPMOS (planar high-voltage) —
MSL لیول 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) AEC-Q101 qualified
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +150 C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں