BSS119NH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS119NH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSS119NH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
العلبة PG-SOT23 (SOT-23-3) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55 °C to +150 °C
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) AEC-Q101 Automotive
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) Tape & Reel (T/R)
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
العلبة / الحالة — PG-SOT23 (SOT-23-3)
عدد الدبابيس — 3
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر