BSS119NH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS119NH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSS308PEH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | BSS119NH6327XTSA1 | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| FET Technology | Enhancement-mode, planar N-channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 190 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 500 mW | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| מארז | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] | -55 °C to +150 °C |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive grade) | AEC-Q101 Automotive |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tape & Reel (3,000 pcs/reel) | Tape & Reel (T/R) |
| רמת MSL | 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -2 A (Ta) |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| מארז / Case | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| מספר פינים | — | 3 |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |