BSS119NH6327XTSA1 vs BSS308PEH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS119NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS308PEH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS119NH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Paket PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55 °C to +150 °C
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) AEC-Q101 Automotive
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) Tape & Reel (T/R)
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Paket / Kas — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Pin Sayısı — 3
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin