BSS126H6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS126H6327XTSA2 بواسطة Infineon و BSS119NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSS126H6327XTSA2 | BSS119NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel Depletion Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 500 mW | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 500 ohm (typical for depletion-mode) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Range | [DATA_NEEDED: VGS max/min] | — |
| Technology | SIPMOS (DMOS) | — |
| العلبة | SOT-23-3 (PG-SOT23) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction, typical) | -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] |
| عدد الأطراف | 3 | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Depletion (normally-on at VGS = 0) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes (Infineon 'green' package) | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| FET Technology | — | Enhancement-mode, planar N-channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 190 mA |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 500 mW |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive grade) |
| Packaging | — | Tape & Reel (3,000 pcs/reel) |