BSS126H6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS126H6327XTSA2 द्वारा Infineon और BSS119NH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS126H6327XTSA2 | BSS119NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel Depletion Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 21 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 500 mW | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 500 ohm (typical for depletion-mode) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Range | [DATA_NEEDED: VGS max/min] | — |
| Technology | SIPMOS (DMOS) | — |
| पैकेज | SOT-23-3 (PG-SOT23) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction, typical) | -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] |
| पिन काउंट | 3 | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Depletion (normally-on at VGS = 0) | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes (Infineon 'green' package) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| FET Technology | — | Enhancement-mode, planar N-channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 190 mA |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 500 mW |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive grade) |
| Packaging | — | Tape & Reel (3,000 pcs/reel) |