BSS126H6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS126H6327XTSA2 بذریعہ Infineon اور BSS119NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon

BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon

BSS119NH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS126H6327XTSA2 BSS119NH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
پیکیج SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction, typical) -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
پن کی تعداد 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ہیلوجن فری Yes (Infineon 'green' package) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Qualification — AEC-Q101 (automotive grade)
Packaging — Tape & Reel (3,000 pcs/reel)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں