BSS126H6327XTSA2 vs BSS119NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS126H6327XTSA2 tarafından Infineon ve BSS119NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS126H6327XTSA2 BSS119NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
Paket SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction, typical) -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
Pin Sayısı 3 —
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes (Infineon 'green' package) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Qualification — AEC-Q101 (automotive grade)
Packaging — Tape & Reel (3,000 pcs/reel)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin