BSS138LT1G vs BSS138L مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS138LT1G بواسطة onsemi و BSS138L بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSS138LT1G | BSS138L |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | onsemi | onsemi |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 200 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 225 mW (Ta) | — |
| On-Resistance Max (RDS(on)) | 3.5 ohm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] | — |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| Channel Mode | Enhancement Mode | — |
| العلبة | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| حالة RoHS | Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Family | BSS138LT Series Small Signal MOSFET | — |
| Typical Applications | Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| VDS Drain-Source Voltage | — | 50 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 200 mA |
| Power Dissipation (Ta) | — | 350 mW |
| RDS(on) Max | — | 3.5 ohm |
| Technology | — | Trench MOSFET, high cell density |
| Gate Type | — | Logic Level |
| Switching Performance | — | Fast switching, rugged, reliable |
| سعة الدخل | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| VGS Gate-Source Voltage | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packaging | — | 3000 units per reel (tape and reel) |