BSS138LT1G vs BSS138L तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS138LT1G द्वारा onsemi और BSS138L द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSS138LT1G BSS138LT1G - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138LT1G - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138LT1G ✓ सक्रिय
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BSS138L BSS138L - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138L - 50V 200mA N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

BSS138L ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSS138LT1G BSS138L
ब्रांड onsemi onsemi
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) —
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET Single FET
Channel Mode Enhancement Mode —
पैकेज SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS स्थिति Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement Mode
VDS Drain-Source Voltage — 50 V
Continuous Drain Current (Ta) — 200 mA
Power Dissipation (Ta) — 350 mW
RDS(on) Max — 3.5 ohm
Technology — Trench MOSFET, high cell density
Gate Type — Logic Level
Switching Performance — Fast switching, rugged, reliable
इनपुट कैपेसिटेंस — [DATA_NEEDED: Ciss]
VGS Gate-Source Voltage — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — 3000 units per reel (tape and reel)

डेटाशीट और संसाधन

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