BSS138LT1G vs BSS138L مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSS138LT1G توسط onsemi و BSS138L توسط onsemi. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSS138LT1G | BSS138L |
|---|---|---|
| برند | onsemi | onsemi |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 200 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 225 mW (Ta) | — |
| On-Resistance Max (RDS(on)) | 3.5 ohm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] | — |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| Channel Mode | Enhancement Mode | — |
| بسته‌بندی | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Family | BSS138LT Series Small Signal MOSFET | — |
| Typical Applications | Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| VDS Drain-Source Voltage | — | 50 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 200 mA |
| Power Dissipation (Ta) | — | 350 mW |
| RDS(on) Max | — | 3.5 ohm |
| Technology | — | Trench MOSFET, high cell density |
| Gate Type | — | Logic Level |
| Switching Performance | — | Fast switching, rugged, reliable |
| ظرفیت ورودی | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| VGS Gate-Source Voltage | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| محدوده دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packaging | — | 3000 units per reel (tape and reel) |