BSZ065N06LS5ATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ065N06LS5ATMA1 بواسطة Infineon و IPD380P06NMATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 ✓ نشط
Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ065N06LS5ATMA1 IPD380P06NMATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 logic-level OptiMOS P-channel trench
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C -55 C to +150 C (junction)
العلبة PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 60 V
تيار التصريف المستمر (TC=25°C) — 35 A
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Gate Drive — Logic-level compatible
Avalanche Rated — Yes (per manufacturer datasheet)
مستوى MSL — 1
Target Applications — Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch
Lead-Free — Yes
Automotive Qualified — Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر