BSZ065N06LS5ATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ065N06LS5ATMA1 द्वारा Infineon और IPD380P06NMATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSZ065N06LS5ATMA1 IPD380P06NMATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 logic-level OptiMOS P-channel trench
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C -55 C to +150 C (junction)
पैकेज PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 60 V
कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) — 35 A
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Gate Drive — Logic-level compatible
Avalanche Rated — Yes (per manufacturer datasheet)
MSL स्तर — 1
Target Applications — Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch
Lead-Free — Yes
Automotive Qualified — Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade]

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध