BSZ065N06LS5ATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ065N06LS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD380P06NMATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSZ065N06LS5ATMA1 IPD380P06NMATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 logic-level OptiMOS P-channel trench
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C -55 C to +150 C (junction)
প্যাকেজ PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 60 V
কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) — 35 A
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Gate Drive — Logic-level compatible
Avalanche Rated — Yes (per manufacturer datasheet)
MSL লেভেল — 1
Target Applications — Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch
Lead-Free — Yes
Automotive Qualified — Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট