BSZ065N06LS5ATMA1 vs IPD380P06NMATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ065N06LS5ATMA1 tarafından Infineon ve IPD380P06NMATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ065N06LS5ATMA1 IPD380P06NMATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 logic-level OptiMOS P-channel trench
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 65 A —
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 6.5 mΩ —
Power Dissipation (PD) Max 46 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.8 nF —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55 C to +150 C (junction)
Paket PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 60 V
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) — 35 A
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Gate Drive — Logic-level compatible
Avalanche Rated — Yes (per manufacturer datasheet)
MSL Seviyesi — 1
Target Applications — Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch
Lead-Free — Yes
Automotive Qualified — Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin