EP4CE115F23I7N vs EP4CE75F29I7 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CE115F23I7N بواسطة Intel و EP4CE75F29I7 بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP4CE115F23I7N EP4CE75F29I7
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة نشط نشط
Series Cyclone IV E Cyclone IV E
Family EP4CE115 (F23 package) —
Logic Elements (LE) 114,480 —
Embedded Memory Bits 3,981,312 bits —
Maximum User I/Os 280 —
Logic Array Blocks (LABs) 7,180 —
Number of PLLs 4 —
18x18 Hardware Multipliers 266 —
Core Voltage 1.0 V / 1.2 V —
I/O Voltage Banks 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V —
درجة حرارة التشغيل -40C to +100C (Industrial) -40 °C to +100 °C (Industrial)
العلبة 484-FBGA (F23) 23x23 mm, 1.0 mm pitch 780-ball FBGA (FineLine BGA)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Technology 60 nm low-power CMOS (TSMC) —
Configuration Method JTAG, Active Serial, Active Parallel —
مستوى MSL 3 3 (168 hours)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Intel (formerly Altera)
Logic Elements (LEs) — 75,408
Embedded Memory (bits) — 2,810,880
Embedded Memory Blocks — 274 (M9K)
Embedded 18×18 Multipliers — 200
PLLs — 4
User I/O Count — 426
Process Node — 60 nm low-power CMOS
Core Voltage (VCCINT) — 1.0 V / 1.2 V selectable
Configuration Modes — JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS)
I/O Standards Supported — LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL
External Memory Interfaces — DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر