EP4CE115F23I7N vs EP4CE75F29I7 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של EP4CE115F23I7N מאת Intel ו EP4CE75F29I7 מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר EP4CE115F23I7N EP4CE75F29I7
מותג Intel Intel
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Series Cyclone IV E Cyclone IV E
Family EP4CE115 (F23 package) —
Logic Elements (LE) 114,480 —
Embedded Memory Bits 3,981,312 bits —
Maximum User I/Os 280 —
Logic Array Blocks (LABs) 7,180 —
Number of PLLs 4 —
18x18 Hardware Multipliers 266 —
Core Voltage 1.0 V / 1.2 V —
I/O Voltage Banks 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V —
טמפרטורת פעולה -40C to +100C (Industrial) -40 °C to +100 °C (Industrial)
מארז 484-FBGA (F23) 23x23 mm, 1.0 mm pitch 780-ball FBGA (FineLine BGA)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Technology 60 nm low-power CMOS (TSMC) —
Configuration Method JTAG, Active Serial, Active Parallel —
רמת MSL 3 3 (168 hours)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Intel (formerly Altera)
Logic Elements (LEs) — 75,408
Embedded Memory (bits) — 2,810,880
Embedded Memory Blocks — 274 (M9K)
Embedded 18×18 Multipliers — 200
PLLs — 4
User I/O Count — 426
Process Node — 60 nm low-power CMOS
Core Voltage (VCCINT) — 1.0 V / 1.2 V selectable
Configuration Modes — JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS)
I/O Standards Supported — LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL
External Memory Interfaces — DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר