EP4CE115F23I7N vs EP4CE75F29I7 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP4CE115F23I7N tarafından Intel ve EP4CE75F29I7 tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre EP4CE115F23I7N EP4CE75F29I7
Marka Intel Intel
Kategori FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Series Cyclone IV E Cyclone IV E
Family EP4CE115 (F23 package) —
Logic Elements (LE) 114,480 —
Embedded Memory Bits 3,981,312 bits —
Maximum User I/Os 280 —
Logic Array Blocks (LABs) 7,180 —
Number of PLLs 4 —
18x18 Hardware Multipliers 266 —
Core Voltage 1.0 V / 1.2 V —
I/O Voltage Banks 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V —
İşletim Sıcaklığı -40C to +100C (Industrial) -40 °C to +100 °C (Industrial)
Paket 484-FBGA (F23) 23x23 mm, 1.0 mm pitch 780-ball FBGA (FineLine BGA)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Technology 60 nm low-power CMOS (TSMC) —
Configuration Method JTAG, Active Serial, Active Parallel —
MSL Seviyesi 3 3 (168 hours)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Intel (formerly Altera)
Logic Elements (LEs) — 75,408
Embedded Memory (bits) — 2,810,880
Embedded Memory Blocks — 274 (M9K)
Embedded 18×18 Multipliers — 200
PLLs — 4
User I/O Count — 426
Process Node — 60 nm low-power CMOS
Core Voltage (VCCINT) — 1.0 V / 1.2 V selectable
Configuration Modes — JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS)
I/O Standards Supported — LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL
External Memory Interfaces — DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin