H58G56AK6QX032N vs MT53E1G64D4HJ-046 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H58G56AK6QX032N بواسطة SK hynix و MT53E1G64D4HJ-046 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT53E1G64D4HJ-046 MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H58G56AK6QX032N MT53E1G64D4HJ-046
العلامة التجارية SK hynix Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة LPDDR5 SDRAM Mobile LPDDR4X SDRAM
Density 32Gb (4GB) 64 Gbit
التنظيم 512M x 64 1G x 64
معدل البيانات 6400 Mbps per pin —
Bus Width x16 (x64 variant per sourcing data) —
Core Voltage (VDD) 0.5 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Interface Voltage (VDD2) 1.8 V / 1.05 V —
العلبة FBGA-315 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Grade Automotive —
Applications Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules —
Standard JEDEC LPDDR5 —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -30C to +85C
Reflow/MSL Rating [DATA_NEEDED: MSL level] —
الواجهة — Parallel
Clock Frequency — 2.133 GHz
Access Time — 3.5 ns
جهد التغذية — 1.1 V / 1.8 V
Package Style — TFBGA, 556/841 ball, QDP
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
AEC-Q100 — Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر