H58G56AK6QX032N vs MT53E1G64D4HJ-046 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H58G56AK6QX032N द्वारा SK hynix और MT53E1G64D4HJ-046 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron
MT53E1G64D4HJ-046 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H58G56AK6QX032N | MT53E1G64D4HJ-046 |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | LPDDR5 SDRAM | Mobile LPDDR4X SDRAM |
| Density | 32Gb (4GB) | 64 Gbit |
| संगठन | 512M x 64 | 1G x 64 |
| डेटा दर | 6400 Mbps per pin | — |
| Bus Width | x16 (x64 variant per sourcing data) | — |
| Core Voltage (VDD) | 0.5 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Interface Voltage (VDD2) | 1.8 V / 1.05 V | — |
| पैकेज | FBGA-315 | 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Automotive | — |
| Applications | Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules | — |
| Standard | JEDEC LPDDR5 | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -30C to +85C |
| Reflow/MSL Rating | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 2.133 GHz |
| Access Time | — | 3.5 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.1 V / 1.8 V |
| Package Style | — | TFBGA, 556/841 ball, QDP |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| AEC-Q100 | — | Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT) |