H58G56AK6QX032N vs MT53E1G64D4HJ-046 So sánh

So sánh chi tiết song song của H58G56AK6QX032N bằng SK hynix và MT53E1G64D4HJ-046 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H58G56AK6QX032N H58G56AK6QX032N - 32Gb LPDDR5-6400 DRAM, Automotive | SK Hynix

H58G56AK6QX032N - 32Gb LPDDR5-6400 DRAM, Automotive | SK Hynix

H58G56AK6QX032N ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT53E1G64D4HJ-046 MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H58G56AK6QX032N MT53E1G64D4HJ-046
Thương hiệu SK hynix Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ LPDDR5 SDRAM Mobile LPDDR4X SDRAM
Density 32Gb (4GB) 64 Gbit
Tổ chức 512M x 64 1G x 64
Tốc độ dữ liệu 6400 Mbps per pin —
Bus Width x16 (x64 variant per sourcing data) —
Core Voltage (VDD) 0.5 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Interface Voltage (VDD2) 1.8 V / 1.05 V —
Hộp FBGA-315 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Grade Automotive —
Applications Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules —
Standard JEDEC LPDDR5 —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] -30C to +85C
Reflow/MSL Rating [DATA_NEEDED: MSL level] —
Giao diện — Parallel
Clock Frequency — 2.133 GHz
Access Time — 3.5 ns
Điện áp cung cấp — 1.1 V / 1.8 V
Package Style — TFBGA, 556/841 ball, QDP
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
AEC-Q100 — Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá