H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G6NBJR-VKC بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G6NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | 4 Gb |
| Memory Organization | 256M x 16 | 512M x8 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Operating Current | 38 mA (typical, per distributor data) | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Body Size | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration; write leveling | — |
| Protection Functions | Asynchronous reset; CRC; data mask | — |
| Refresh | Auto self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Packaging | Tray | Tray |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| حالة دورة الحياة | — | Active |