H5AN4G6NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-VKC So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN4G6NBJR-VKC bằng SK hynix và H5AN4G8NBJR-VKC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN4G6NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Gbit | 4 Gb |
| Memory Organization | 256M x 16 | 512M x8 |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (internal reference per distributor data) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Operating Current | 38 mA (typical, per distributor data) | — |
| Giao diện | Parallel | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Hộp | FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Body Size | 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration; write leveling | — |
| Protection Functions | Asynchronous reset; CRC; data mask | — |
| Refresh | Auto self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Packaging | Tray | Tray |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Latency CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| Trạng thái vòng đời | — | Active |