H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-RDC بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKI بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-VKI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| الواجهة | DDR4 (Double Data Rate IV) | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | 1.2 V |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | 2666 Mbps |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | Industrial (I suffix) |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | On-Die Termination (ODT) |
| حالة RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| I/O Voltage | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Speed Grade | — | V (2666) |
| Architecture | — | CMOS, 8n prefetch, bank groups |
| DBI Support | — | Yes (Data Bus Inversion / DM) |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |