H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKI مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-RDC توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKI توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-VKI |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| رابط | DDR4 (Double Data Rate IV) | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| ولتاژ تغذیه | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | 1.2 V |
| نرخ داده | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | 2666 Mbps |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | Industrial (I suffix) |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | On-Die Termination (ODT) |
| وضعیت RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| I/O Voltage | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Speed Grade | — | V (2666) |
| Architecture | — | CMOS, 8n prefetch, bank groups |
| DBI Support | — | Yes (Data Bus Inversion / DM) |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |