H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKI So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN4G8NBJR-RDC bằng SK hynix và H5AN4G8NBJR-VKI bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-VKI
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Tổ chức 512M x 8 512M x 8
Giao diện DDR4 (Double Data Rate IV) —
Hộp 78-ball FBGA FBGA-78
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Điện áp cung cấp [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V
Tốc độ dữ liệu [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] 2666 Mbps
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] Industrial (I suffix)
Termination On-Die Termination (ODT) On-Die Termination (ODT)
Trạng thái RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Speed Grade — V (2666)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá