H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A8G085WC-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-UHC بواسطة SK hynix و K4A8G085WC-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-UHC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gbit |
| التنظيم | 512M x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 2400 Mbps (PC2400) | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC) | — |
| العلبة | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| حالة RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Compliant |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | Auto/Self refresh |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |