H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A8G085WC-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN4G8NBJR-UHC بذریعہ SK hynix اور K4A8G085WC-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN4G8NBJR-UHC K4A8G085WC-BCRC
برانڈ SK hynix Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 8 Gbit
تنظیم 512M x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps (PC2400) 2400 Mbps (DDR4-2400)
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2 V
انٹرفیس DDR4 (JEDEC) —
پیکیج TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA (TFBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Rohs Code: Yes) Compliant
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] Auto/Self refresh
Terminal Pitch — 0.8 mm
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
Data Mask Function — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں