H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A8G085WC-BCRC Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5AN4G8NBJR-UHC sa pamamagitan ng SK hynix at K4A8G085WC-BCRC sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5AN4G8NBJR-UHC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | DRAM |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 8 Gbit |
| Organisasyon | 512M x 8 | 1G x 8 |
| Rate ng Data | 2400 Mbps (PC2400) | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface | DDR4 (JEDEC) | — |
| Packhaging | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| Tindminan RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Compliant |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| Temperature na Operasyon | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | Auto/Self refresh |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |