H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A8G085WC-BCRC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN4G8NBJR-UHC নির্দিষ্ট SK hynix ও K4A8G085WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCRC K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WC-BCRC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার H5AN4G8NBJR-UHC K4A8G085WC-BCRC
ব্র্যান্ড SK hynix Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs DRAM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 8 Gbit
সংগঠন 512M x 8 1G x 8
ডেটা রেট 2400 Mbps (PC2400) 2400 Mbps (DDR4-2400)
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V 1.2 V
ইন্টারফেস DDR4 (JEDEC) —
প্যাকেজ TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA (TFBGA)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Rohs Code: Yes) Compliant
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
CAS লেটেন্সি [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] Auto/Self refresh
Terminal Pitch — 0.8 mm
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
Data Mask Function — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট