H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NCJR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NCJR-VKC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NCJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G6NCJR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $19.69 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | — |
| العلبة | FBGA-96 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| الميزات | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| Memory Density | — | 8 Gb (8589934592 bit) |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS |
| Package Code | — | TFBGA (PBGA96) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| Data Rate Family | — | [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |