H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NCJR-RDC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NCJR-VKC מאת SK hynix ו H5AN8G6NCJR-RDC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G6NCJR-RDC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $19.69 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| קצב נתונים | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| ממשק | Parallel | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | — |
| מארז | FBGA-96 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| תכונות | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) |
| סטטוס מחזור חיים | Active | — |
| Memory Density | — | 8 Gb (8589934592 bit) |
| ארגון | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS |
| Package Code | — | TFBGA (PBGA96) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| Data Rate Family | — | [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |