H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NCJR-RDC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN8G6NCJR-VKC tarafından SK hynix ve H5AN8G6NCJR-RDC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-RDC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori DRAM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Veri Hızı 2666 Mbps (MT/s) —
Clock Frequency 1.333 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V —
Arayüz Parallel —
İşletim Sıcaklığı 0C to +95C —
Paket FBGA-96 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Standby Current 28 mA —
Operating Current 45 mA —
Özellikler Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet description) —
RoHS Durumu Compliant Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet)
Yaşam Döngüsü Durumu Active —
Memory Density — 8 Gb (8589934592 bit)
Organizasyon — 512M x 16
Technology — CMOS
Package Code — TFBGA (PBGA96)
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER
Data Rate Family — [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps]
Supply Voltage Class — [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin]
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Write Leveling — Yes
CRC — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin