H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NCJR-RDC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NCJR-VKC توسط SK hynix و H5AN8G6NCJR-RDC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G6NCJR-RDC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $19.69 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| رابط | Parallel | — |
| دمای کاری | 0C to +95C | — |
| بسته‌بندی | FBGA-96 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| ویژگی‌ها | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) |
| وضعیت چرخه عمر | Active | — |
| Memory Density | — | 8 Gb (8589934592 bit) |
| سازمان | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS |
| Package Code | — | TFBGA (PBGA96) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| Data Rate Family | — | [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] |
| محدوده دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |