H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NAMR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NCR-VKC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NAMR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG6NCR-VKC | H5ANAG6NAMR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16 Gbit | 16 Gbit (2 GB) |
| التنظيم | 2G x 8 | 1G x 16 |
| الواجهة | DDR4 (Double Data Rate 4) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | FBGA-96 (PBGA96) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder ball) |
| Banks | 16 banks (4 bank groups x 4) | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Refresh Mode | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Technology | CMOS | — |
| Application | Main memory (PC / server / embedded) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speed Grade / Data Rate | — | DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Architecture | — | CMOS DDR4 with bank groups |
| Power Class | — | Normal Power |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] |
| نوع الواجهة | — | Parallel, synchronous, double data rate |
| Available Speed Bins (family) | — | PB / RD / TF / UH / VK |
| Application Class | — | Main memory, embedded, industrial |
| حالة دورة الحياة | — | Active production |