H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63AFR-G7A بواسطة SK hynix و H5TC4G63AFR-PBR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ نشط
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-PBR
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $5.91
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
التنظيم 256M x 16 256M x 16
جهد التغذية 1.35V 1.35V (1.5V compatible)
معدل البيانات 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
العلبة 96-ball FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
درجة حرارة التشغيل 0°C to 95°C (case) 0C to +95C
زمن الوصول CAS Programmable (e.g., 11) 11
Burst Length 8 and 4 8 (BL8) with burst chop (BC4)
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
خالٍ من الهالوجين Yes Yes
Process Technology CMOS —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
Clock Frequency — 800 MHz
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر