H5TC4G63AFR-G7A vs H5TC4G63AFR-PBR तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-G7A द्वारा SK hynix और H5TC4G63AFR-PBR द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBR H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBR ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-PBR
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $5.91
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
संगठन 256M x 16 256M x 16
सप्लाई वोल्टेज 1.35V 1.35V (1.5V compatible)
डेटा दर 1600 Mbps (PC3-12800) 1600 Mbps (PC3L-12800)
पैकेज 96-ball FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
ऑपरेटिंग तापमान 0°C to 95°C (case) 0C to +95C
CAS लेटेंसी Programmable (e.g., 11) 11
Burst Length 8 and 4 8 (BL8) with burst chop (BC4)
Refresh Period 7.8us at 85°C —
On-Die Termination Supported —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
हैलोजन फ्री Yes Yes
Process Technology CMOS —
Total Capacity — 4Gb
tRCD/tRP — 11
Clock Frequency — 800 MHz
tCK — 1.25 ns
tRCD — 13.125 ns
Number of Banks — 8
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C
Package Dimensions — 13.5mm x 9.0mm
Ball Pitch — 0.8mm
I/O Interface — SSTL-15

डेटाशीट और संसाधन

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